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首次!中国芯片领域取得新突破 改进光刻胶缺点:提升7nm及以下先进制程良率
10月26日,据国内媒体报道,我国在芯片关键技术领域再获重要进展,此次突破聚焦于光刻胶研发。 北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队联合相关合作者,创新性地采用冷冻电子断层扫描技术,首次在原位条件下揭示了光刻胶分子在液相环境中的三维微观结构、界面分布特征及其缠结动态行为,并基于此指导开发出一套可大幅降低光刻缺陷的产业化解决方案。该研究成果已发表于…
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